PMD15K200 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMD15K200  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для PMD15K200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMD15K200 даташит

 9.1. Size:1231K  magnachip
 mpmd150b120rh.pdf pdf_icon

PMD15K200

MPMD150B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChip s IGBT Module 7DM-3 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss V = 2.8V (typ.) CE(sat) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated Min. 10us at TC=100 Isolation Typ

Другие транзисторы: PMD12K100, PMD12K40, PMD12K60, PMD12K80, PMD13K100, PMD13K40, PMD13K60, PMD13K80, BDT88, PMD1600K, PMD1601K, PMD1602K, PMD1603K, PMD16K100, PMD16K40, PMD16K60, PMD16K80