2N5097S Todos los transistores

 

2N5097S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5097S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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2N5097S datasheet

 8.1. Size:91K  ssdi
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2N5095 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 400V dia. IC = 1A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3... See More ⇒

 9.2. Size:11K  semelab
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2N5097S

2N5099 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 550V dia. IC = 1A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3... See More ⇒

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