PT517 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PT517

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 70 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO5

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PT517 datasheet

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PT517

CMPT5179 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION NPN SILICON RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5179 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise, high frequency amplifier and high output oscillator applications. MARKING CODE C7H SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA

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