Справочник транзисторов. PT517

 

Биполярный транзистор PT517 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PT517
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO5
 

 Аналог (замена) для PT517

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PT517 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:323K  central
 cmpt5179.pdf pdf_icon

PT517

CMPT5179www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON RF TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5179 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise, high frequency amplifier and high output oscillator applications.MARKING CODE: C7HSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: GT150-9 | 2SB138A | PUMB11 | 2SB196 | 2SA872C | GT330V | PT896

 

 
Back to Top

 


 
.