PT517. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PT517

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для PT517

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PT517 даташит

 0.1. Size:323K  central
 cmpt5179.pdf pdf_icon

PT517

CMPT5179 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION NPN SILICON RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5179 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise, high frequency amplifier and high output oscillator applications. MARKING CODE C7H SOT-23 CASE MAXIMUM RATINGS (TA

Другие транзисторы: PO38, PO39, PT1837, PT2896, PT3151A, PT3501, PT515, PT516, 2SC1815, PT518, PT519, PT520, PT522, PT523, PT530, PT530-1, PT530A