PT517 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

PT517 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PT517
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO5
 

 Аналоги (замена) для PT517

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PT517 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:323K  central
 cmpt5179.pdf pdf_icon

PT517

CMPT5179www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON RF TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5179 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise, high frequency amplifier and high output oscillator applications.MARKING CODE: C7HSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA

Другие транзисторы... PO38 , PO39 , PT1837 , PT2896 , PT3151A , PT3501 , PT515 , PT516 , 2N2222A , PT518 , PT519 , PT520 , PT522 , PT523 , PT530 , PT530-1 , PT530A .

History: S9012-H | HSBD378 | 2N6308 | RT2P13M | S9013E | 2N6691 | 2N1957

 

 
Back to Top

 


 
.