PTB20081 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PTB20081
   Código: 20081
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 233 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 470 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: 20212
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros