PTB20081. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTB20081

Маркировка: 20081

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 233 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 470 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: 20212

 Аналоги (замена) для PTB20081

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PTB20081 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: PTB20052, PTB20053, PTB20060, PTB20062, PTB20071, PTB20074, PTB20077, PTB20078, BDT88, PTB20082, PTB20091, PTB20095, PTB20097, PTB20101, PTB20105, PTB20110, PTB20111