S1502 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: S1502

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

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S1502 datasheet

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S1502

PBLS1502Y; PBLS1502V 15 V PNP BISS loadswitch Rev. 02 4 November 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Low VCEsat PNP transistor and NPN resistor-equipped transistor in one package. Table 1 Product overview Type number Package Philips EIAJ PBLS1502Y SOT363 SC-88 PBLS1502V SOT666 - 1.2 Features Low VCEsat (BISS) transistor and resistor-equipped tran

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S1502

MDIS1502 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 45.7A, 8.5m General Description Features The MDIS1502 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 30V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 45.7A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX) quality. MDIS1502 is suitable device for DC to DC

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