S1502 Todos los transistores

 

S1502 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: S1502
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
 

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S1502 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:85K  philips
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S1502

PBLS1502Y; PBLS1502V15 V PNP BISS loadswitchRev. 02 4 November 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLow VCEsat PNP transistor and NPN resistor-equipped transistor in one package.Table 1: Product overviewType number PackagePhilips EIAJPBLS1502Y SOT363 SC-88PBLS1502V SOT666 -1.2 Features Low VCEsat (BISS) transistor and resistor-equipped tran

 0.2. Size:693K  magnachip
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S1502

MDIS1502 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 45.7A, 8.5mGeneral Description Features The MDIS1502 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 45.7A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDIS1502 is suitable device for DC to DC

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