S1502. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S1502

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

 Аналоги (замена) для S1502

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S1502 даташит

 0.1. Size:85K  philips
 pbls1502y-v.pdf pdf_icon

S1502

PBLS1502Y; PBLS1502V 15 V PNP BISS loadswitch Rev. 02 4 November 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Low VCEsat PNP transistor and NPN resistor-equipped transistor in one package. Table 1 Product overview Type number Package Philips EIAJ PBLS1502Y SOT363 SC-88 PBLS1502V SOT666 - 1.2 Features Low VCEsat (BISS) transistor and resistor-equipped tran

 0.2. Size:693K  magnachip
 mdis1502th.pdf pdf_icon

S1502

MDIS1502 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 45.7A, 8.5m General Description Features The MDIS1502 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 30V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 45.7A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX) quality. MDIS1502 is suitable device for DC to DC

Другие транзисторы: S1376, S1377, S1381, S1382, S1383, S1420, S1423, S1429-3, 2SC1815, S1516, S1525, S1530, S15649, S1619, S1642, S1683, S1697