S876T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: S876T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 110 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 530 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 7 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 150 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros