Биполярный транзистор S876T Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: S876T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 530 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам