S876T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S876T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 530 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для S876T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S876T даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: S679T, S690T, S691T, S730T, S763T, S779T, S790T, S791T, 13007, S879T, S920TS, S921TS, S922TS, S923TS, S93B, S93V, S979T