SE6001 Todos los transistores

 

SE6001 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE6001
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100M MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO106
 

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SE6001 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:325K  cn sino-ic
 se6003c.pdf pdf_icon

SE6001

SE6003CN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFETOn-Resistance Fully Characterized Avalanche V =60VDSVoltage and Current Improved Shoot-Through R =85m @V =10VDS(ON) GSFOM R =105m @V =4.5VDS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface

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