SE6001 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE6001

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100M MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO106

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SE6001 datasheet

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SE6001

SE6003C N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =60V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =85m @V =10V DS(ON) GS FOM R =105m @V =4.5V DS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface

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