SE6001. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE6001

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100M MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO106

 Аналоги (замена) для SE6001

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SE6001 даташит

 9.1. Size:325K  cn sino-ic
 se6003c.pdf pdf_icon

SE6001

SE6003C N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =60V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =85m @V =10V DS(ON) GS FOM R =105m @V =4.5V DS(ON) GS Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface

Другие транзисторы: SE5024, SE5-0253, SE5050, SE5051, SE5052, SE5055, SE5-0854, SE5-567, 2SC5198, SE6002, SE6010, SE6020, SE6021, SE6022, SE6023, SE6062, SE6063