SE8520 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE8520

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO106

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SE8520 datasheet

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SE8520

SE85210 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =85V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =3.0m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations S

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