SE8520. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE8520

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO106

 Аналоги (замена) для SE8520

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SE8520 даташит

 9.1. Size:588K  cn sino-ic
 se85210.pdf pdf_icon

SE8520

SE85210 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =85V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =3.0m @V =10V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin configurations S

Другие транзисторы: SE7055, SE7056, SE8001, SE8002, SE8010, SE8041, SE8042, SE8510, MJE350, SE8521, SE8541, SE8542, SE9300, SE9301, SE9302, SE9400, SE9401