SGS122 Todos los transistores

 

SGS122 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGS122
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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SGS122 datasheet

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SGS122

SGS125 SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE PNP DARLINGTON INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATION GENERAL PURPOSE SWITCHING DESCRIPTION 3 The SGS125 is a silicon epitaxial-base PNP 2 1 transistor in monolithic Darlington configuration in SOT82 plastic package, intented for use in power SOT-82 linear and switching ap

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History: MJE13003DK7

 

 
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