SGS122 Todos los transistores

 

SGS122 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGS122
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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SGS122 Datasheet (PDF)

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SGS122

SGS125SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE PNP DARLINGTON INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODEAPPLICATION GENERAL PURPOSE SWITCHING DESCRIPTION 3The SGS125 is a silicon epitaxial-base PNP21transistor in monolithic Darlington configuration inSOT82 plastic package, intented for use in powerSOT-82linear and switching ap

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History: 2SAR512P | BTB1216J3 | 2SA743 | M54580P | 2SC2389 | 2SD1931 | CHT807PTQ

 

 
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