Биполярный транзистор SGS122 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SGS122
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO126
SGS122 Datasheet (PDF)
9.1. Size:64K st
sgs125.pdf
sgs125.pdf
SGS125SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE PNP DARLINGTON INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODEAPPLICATION GENERAL PURPOSE SWITCHING DESCRIPTION 3The SGS125 is a silicon epitaxial-base PNP21transistor in monolithic Darlington configuration inSOT82 plastic package, intented for use in powerSOT-82linear and switching ap
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
