SGSD100 Todos los transistores

 

SGSD100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGSD100
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 130 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
   Paquete / Cubierta: TOP3
 

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SGSD100 Datasheet (PDF)

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SGSD100

SGSD100SGSD200COMPLEMENTARY SILICONPOWER DARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATIONAPPLICATIONS: GENERAL PURPOSE SWITCHINGAPPLICATION3 GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS21DESCRIPTIONThe SGSD100 is silicon epitaxial-base NPNTO-218power transistor in monolithic Darlingtonconfiguration mou

Otros transistores... SGS137 , SGS3055 , SGS6386 , SGS6387 , SGS6388 , SGS911 , SGS912 , SGSD00020 , S8550 , SGSD110 , SGSD200 , SGSD210 , SGSD93E , SGSD93F , SGSD93G , SGSF321 , SGSF323 .

History: 2SC1322 | GET535

 

 
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