SGSD100 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGSD100

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 130 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: TOP3

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SGSD100 datasheet

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SGSD100

SGSD100 SGSD200 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING APPLICATION 3 GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS 2 1 DESCRIPTION The SGSD100 is silicon epitaxial-base NPN TO-218 power transistor in monolithic Darlington configuration mou

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