Справочник транзисторов. SGSD100

 

Биполярный транзистор SGSD100 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SGSD100
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: TOP3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

SGSD100 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:76K  st
 sgsd100-200.pdf pdf_icon

SGSD100

SGSD100SGSD200COMPLEMENTARY SILICONPOWER DARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATIONAPPLICATIONS: GENERAL PURPOSE SWITCHINGAPPLICATION3 GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS21DESCRIPTIONThe SGSD100 is silicon epitaxial-base NPNTO-218power transistor in monolithic Darlingtonconfiguration mou

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC1522 | ST400 | TIP517 | 2SD2083 | NESG2101M16 | ACY50 | BD244BG

 

 
Back to Top

 


 
.