Биполярный транзистор SGSD100 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SGSD100
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: TOP3
SGSD100 Datasheet (PDF)
0.1. Size:76K st
sgsd100-200.pdf
sgsd100-200.pdf
SGSD100SGSD200COMPLEMENTARY SILICONPOWER DARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATIONAPPLICATIONS: GENERAL PURPOSE SWITCHINGAPPLICATION3 GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS21DESCRIPTIONThe SGSD100 is silicon epitaxial-base NPNTO-218power transistor in monolithic Darlingtonconfiguration mou
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050