SGSD110 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGSD110

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 130 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TOP3

 Búsqueda de reemplazo de SGSD110

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SGSD110 datasheet

 9.1. Size:76K  st
 sgsd100-200.pdf pdf_icon

SGSD110

SGSD100 SGSD200 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING APPLICATION 3 GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS 2 1 DESCRIPTION The SGSD100 is silicon epitaxial-base NPN TO-218 power transistor in monolithic Darlington configuration mou

Otros transistores... SGS3055, SGS6386, SGS6387, SGS6388, SGS911, SGS912, SGSD00020, SGSD100, 2SA1837, SGSD200, SGSD210, SGSD93E, SGSD93F, SGSD93G, SGSF321, SGSF323, SGSF324