SGSD110 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGSD110
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 130 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TOP3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar SGSD110
SGSD110 Datasheet (PDF)
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sgsd100-200.pdf
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SGSD100SGSD200COMPLEMENTARY SILICONPOWER DARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATIONAPPLICATIONS: GENERAL PURPOSE SWITCHINGAPPLICATION3 GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS21DESCRIPTIONThe SGSD100 is silicon epitaxial-base NPNTO-218power transistor in monolithic Darlingtonconfiguration mou
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
