SGSD110 Todos los transistores

 

SGSD110 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGSD110
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 130 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TOP3
 

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SGSD110 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:76K  st
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SGSD110

SGSD100SGSD200COMPLEMENTARY SILICONPOWER DARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATIONAPPLICATIONS: GENERAL PURPOSE SWITCHINGAPPLICATION3 GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS21DESCRIPTIONThe SGSD100 is silicon epitaxial-base NPNTO-218power transistor in monolithic Darlingtonconfiguration mou

Otros transistores... SGS3055 , SGS6386 , SGS6387 , SGS6388 , SGS911 , SGS912 , SGSD00020 , SGSD100 , BC546 , SGSD200 , SGSD210 , SGSD93E , SGSD93F , SGSD93G , SGSF321 , SGSF323 , SGSF324 .

History: D66ES6 | D66ES7 | MJD41CTF | BC856AR | 2SD1683U | ST4204

 

 
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