Справочник транзисторов. SGSD110

 

Биполярный транзистор SGSD110 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SGSD110
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TOP3
 

 Аналог (замена) для SGSD110

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SGSD110 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:76K  st
 sgsd100-200.pdf pdf_icon

SGSD110

SGSD100SGSD200COMPLEMENTARY SILICONPOWER DARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTONCONFIGURATIONAPPLICATIONS: GENERAL PURPOSE SWITCHINGAPPLICATION3 GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS21DESCRIPTIONThe SGSD100 is silicon epitaxial-base NPNTO-218power transistor in monolithic Darlingtonconfiguration mou

Другие транзисторы... SGS3055 , SGS6386 , SGS6387 , SGS6388 , SGS911 , SGS912 , SGSD00020 , SGSD100 , BC546 , SGSD200 , SGSD210 , SGSD93E , SGSD93F , SGSD93G , SGSF321 , SGSF323 , SGSF324 .

History: 2SD215 | 2SC1293 | ECG244 | ECG390 | 2SB598NP | 2SC2383-Y | BU407H

 

 
Back to Top

 


 
.