SGSD110. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SGSD110

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для SGSD110

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SGSD110 даташит

 9.1. Size:76K  st
 sgsd100-200.pdf pdf_icon

SGSD110

SGSD100 SGSD200 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING APPLICATION 3 GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS 2 1 DESCRIPTION The SGSD100 is silicon epitaxial-base NPN TO-218 power transistor in monolithic Darlington configuration mou

Другие транзисторы: SGS3055, SGS6386, SGS6387, SGS6388, SGS911, SGS912, SGSD00020, SGSD100, 2SA1837, SGSD200, SGSD210, SGSD93E, SGSD93F, SGSD93G, SGSF321, SGSF323, SGSF324