SK3182 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SK3182

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 35 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 35

Encapsulados: TO3

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SK3182 datasheet

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SK3182

3SK318 Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier REJ03G0819-0200 (Previous ADE-208-600) Rev.2.00 Aug.10.2005 Features Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) Excellent cross modulation characteristics Capable low voltage operation; +B= 5V Outline RENESAS Package code PTSP0004ZA-A (Package name CMPAK-4) 2 3 1. Source 2.

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