SK3182. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SK3182

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для SK3182

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SK3182 даташит

 9.1. Size:184K  renesas
 3sk318.pdf pdf_icon

SK3182

3SK318 Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier REJ03G0819-0200 (Previous ADE-208-600) Rev.2.00 Aug.10.2005 Features Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) Excellent cross modulation characteristics Capable low voltage operation; +B= 5V Outline RENESAS Package code PTSP0004ZA-A (Package name CMPAK-4) 2 3 1. Source 2.

Другие транзисторы: SK3010, SK3011, SK3012, SK3026, SK3040, SK3054, SK3114, SK3137, BC337, SK3194, SK3218, SK3247, SK3260, SK3270, SK3356, SK3441, SK3511