STC5080 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STC5080
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
Paquete / Cubierta: TO5
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar STC5080
STC5080 Datasheet (PDF)
stc503d.pdf
STC503DNPN Silicon TransistorApplications PIN Connection Power amplifier application High current switching application Features Power Transistor General Purpose application Low saturation voltage : VCE(sat)=0.4V Typ. High Voltage : VCEO=65V Min. TO-252 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STC503D STC503 TO-252Absolute Maximum
stc503f.pdf
STC503FNPN Silicon TransistorPIN Connection Applications Power amplifier application High current switching application Features Power Transistor General Purpose application Low saturation voltage : VCE(sat)=0.4V Typ. SOT-89 High Voltage : VCEO=65V Min. Ordering Information Type NO. Marking Package Code C503 STC503F SOT-89 YWW Absolute Ma
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: 2N539 | 2N5436
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050