STC5550 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STC5550
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 12
Paquete / Cubierta: TO61
Búsqueda de reemplazo de STC5550
STC5550 Datasheet (PDF)
stc5551f.pdf

STC5551FNPN Silicon TransistorPIN Connection Descriptions General purpose amplifier High voltage application Features High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V Low collector saturation voltage SOT-89 : VCE(sat)=0.5V(MAX.) Ordering Information Type No. Marking Package Code N51 STC5551F SOT-89 YWW N51: DEVICE CODE, : hF
Otros transistores... STC2100 , STC2101 , STC5080 , STC5081 , STC5082 , STC5083 , STC5084 , STC5085 , D667 , STC5551 , STC5552 , STC5553 , STC5554 , STC5555 , STC5606 , STC5608 , STC5648 .
History: L9015RLT3G | MMBC1009F1
History: L9015RLT3G | MMBC1009F1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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