STC5550 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STC5550
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 12
   Paquete / Cubierta: TO61

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar STC5550

STC5550 Datasheet (PDF)

8.1. Size:317K auk
stc5551f.pdf

STC5551FNPN Silicon TransistorPIN Connection Descriptions General purpose amplifier High voltage application Features High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V Low collector saturation voltage SOT-89 : VCE(sat)=0.5V(MAX.) Ordering Information Type No. Marking Package Code N51 STC5551F SOT-89 YWW N51: DEVICE CODE, : hF

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: H1815

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050