STC5550 - описание и поиск аналогов

 

STC5550. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STC5550

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO61

 Аналоги (замена) для STC5550

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STC5550 даташит

 8.1. Size:317K  auk
 stc5551f.pdf pdf_icon

STC5550

STC5551F NPN Silicon Transistor PIN Connection Descriptions General purpose amplifier High voltage application Features High collector breakdown voltage VCBO = 180V, VCEO = 160V Low collector saturation voltage SOT-89 VCE(sat)=0.5V(MAX.) Ordering Information Type No. Marking Package Code N51 STC5551F SOT-89 YWW N51 DEVICE CODE, hF

Другие транзисторы: STC2100, STC2101, STC5080, STC5081, STC5082, STC5083, STC5084, STC5085, BC547B, STC5551, STC5552, STC5553, STC5554, STC5555, STC5606, STC5608, STC5648

 

 

 

 

↑ Back to Top
.