T2016 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: T2016  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.045 W

Tensión colector-base (Vcb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO9

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T2016 datasheet

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T2016

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

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HAT2016R www.VBsemi.tw Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.8 30 15 nC 100 % UIS Tested 0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box

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