T2016 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: T2016  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.045 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO9

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для T2016

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

T2016 даташит

 0.1. Size:109K  renesas
 rej03g1156 hat2016rds.pdf pdf_icon

T2016

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 0.2. Size:1639K  cn vbsemi
 hat2016r.pdf pdf_icon

T2016

HAT2016R www.VBsemi.tw Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.8 30 15 nC 100 % UIS Tested 0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box

 0.3. Size:1056K  cn vbsemi
 hat2016rj.pdf pdf_icon

T2016

Другие транзисторы: T1904, T1905, T1937, T1961, T1967, T1973, T1992, T2015, SS8050, T2017, T2018, T2019, T2020, T2021, T2022, T2023, T2024