T2016 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: T2016
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.045 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO9
T2016 Datasheet (PDF)
rej03g1156 hat2016rds.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
hat2016r.pdf
HAT2016R www.VBsemi.tw Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.8 30 15 nC 100 % UIS Tested 0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box
Другие транзисторы... T1904 , T1905 , T1937 , T1961 , T1967 , T1973 , T1992 , T2015 , SS8050 , T2017 , T2018 , T2019 , T2020 , T2021 , T2022 , T2023 , T2024 .
History: T2172 | TN5137 | TA1730
History: T2172 | TN5137 | TA1730
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent




