T2144 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: T2144  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 6 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO1

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T2144 datasheet

 0.1. Size:320K  1
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T2144

AOT2144L/AOB2144L 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 120 A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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T2144

AOT2144L/AOB2144L 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 120 A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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T2144

AOT2144L/AOB2144L 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 120 A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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T2144

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT2144L FEATURES Drain Current I = 120A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.3m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

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