T2144 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: T2144  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для T2144

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

T2144 даташит

 0.1. Size:320K  1
aot2144l aob2144l.pdfpdf_icon

T2144

AOT2144L/AOB2144L 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 120 A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.2. Size:384K  aosemi
aot2144l aob2144l.pdfpdf_icon

T2144

AOT2144L/AOB2144L 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 120 A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.3. Size:384K  aosemi
aot2144l.pdfpdf_icon

T2144

AOT2144L/AOB2144L 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 120 A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.4. Size:259K  inchange semiconductor
aot2144l.pdfpdf_icon

T2144

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT2144L FEATURES Drain Current I = 120A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.3m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие транзисторы: T2059, T2060, T2061, T2062, T2071, T2088, T2110, T2119, 2SD669, T2145, T2159, T2172, T2173, T2186, T2187, T2198, T2211