TA1756 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TA1756  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.08 W

Tensión colector-base (Vcb): 34 V

Tensión colector-emisor (Vce): 34 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 120 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 42 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO7

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TA1756 datasheet

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TA1756

SEMICONDUCTOR KTA1759 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR HIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES High Breakdown Voltage. A C H G DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX _ + B 2.50 0.20 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) C 1.70 MAX D D D 0.45+0.15/-0.10 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT K E 4.25 MAX _ + F F F 1.50 0.10 VCBO -400 V Collector-Base Voltage G 0.40 TYP H 1.75 MAX VC

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TA1756

Spec. No. C309N3 Issued Date 2003.05.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.10.19 Page No. 1/6 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -400V BTA1759N3 IC -0.3A VCESAT(TYP) -0.08V Description High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typical V =-0.2V at Ic/I =-20mA/-2mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation area).

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TA1756

Spec. No. C309A3-R Issued Date 2003.10.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.06.14 Page No. 1/6 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1759A3 Description High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typical V = -0.2V at Ic / I = -20mA /-2mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation area). Complementary to BTC4505A3.

Otros transistores... TA1697, TA1703B, TA1704, TA1705, TA1706, TA1730, TA1731, TA1755, 2SD2499, TA1757, TA1759, TA1763, TA1763A, TA1763B, TA1765, TA1766, TA1767