TA2513 Todos los transistores

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TA2513 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TA2513

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 3000

Empaquetado / Estuche: TO3

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TA2513 Datasheet (PDF)

5.1. 2sta2510.pdf Size:146K _st

TA2513
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2STA2510 High power PNP epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO = -100 V Complementary to 2STC2510 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC 3 2 Application 1 TO-3P Audio power amplifier Description Figure 1. Internal schematic diagram The device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear am

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