TA2513 Todos los transistores

 

TA2513 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TA2513
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 3000
   Paquete / Cubierta: TO3

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TA2513 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:146K  st
2sta2510.pdf

TA2513
TA2513

2STA2510High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -100 V Complementary to 2STC2510 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC32Application1TO-3P Audio power amplifierDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor fo

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History: 2SC1573B | MRF947AT3 | GTC609V | KT302A | KT922G | D40DU6

 

 
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