TD650 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TD650

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 62.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 750

Encapsulados: TO3

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TD650 datasheet

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TD650

Green Product STU/D650S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 75 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 16A 65V 97 @ VGS=4.5V G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 25

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