TD650. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TD650

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для TD650

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TD650 даташит

 0.1. Size:121K  samhop
 stu650s std650s.pdf pdf_icon

TD650

Green Product STU/D650S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 75 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 16A 65V 97 @ VGS=4.5V G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 25

Другие транзисторы: TD367C, TD643, TD644, TD645, TD646, TD647, TD648, TD649, BD140, TEC8012, TEC8012D, TEC8012E, TEC8012F, TEC8012G, TEC8012H, TEC8013, TEC8013D