TK33 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK33  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: X18

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TK33 datasheet

 0.1. Size:261K  toshiba
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TK33

TK33S10N1Z MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK33S10N1Z TK33S10N1Z TK33S10N1Z TK33S10N1Z 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 8.2 m (typ.) (VGS = 10 V) (3)

 0.2. Size:74K  ixys
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TK33

 0.3. Size:92K  ixys
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TK33

IXTK 33N50 VDSS = 500 V High Current ID (cont) = 33 A MegaMOSTMFET RDS(on) = 0.17 N-Channel Enhancement Mode Preliminary data Symbol Test conditions Maximum ratings TO-264 AA VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1.0 M 500 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V D (TAB) G D ID25 TC = 25 C 33 A S IDM TC = 25 C, pulse

 0.4. Size:393K  first silicon
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TK33

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