TK33 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги TK33. Основные параметры


   Наименование производителя: TK33
   Тип материала: Ge
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: X18

 Аналоги (замена) для TK33

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TK33 даташит

 0.1. Size:261K  toshiba
tk33s10n1z.pdfpdf_icon

TK33

TK33S10N1Z MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK33S10N1Z TK33S10N1Z TK33S10N1Z TK33S10N1Z 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 8.2 m (typ.) (VGS = 10 V) (3)

 0.2. Size:74K  ixys
ixtk33n45 ixtk33n50.pdfpdf_icon

TK33

 0.3. Size:92K  ixys
ixtk33n50.pdfpdf_icon

TK33

IXTK 33N50 VDSS = 500 V High Current ID (cont) = 33 A MegaMOSTMFET RDS(on) = 0.17 N-Channel Enhancement Mode Preliminary data Symbol Test conditions Maximum ratings TO-264 AA VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1.0 M 500 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V D (TAB) G D ID25 TC = 25 C 33 A S IDM TC = 25 C, pulse

 0.4. Size:393K  first silicon
ftk3341.pdfpdf_icon

TK33

Другие транзисторы... TK25C , TK264A , TK28 , TK28C , TK30 , TK30D , TK31 , TK31D , BD140 , TK33C , TK34 , TK34C , TK35 , TK35C , TK36 , TK36C , TK37 .

 

 
Back to Top

 


 
.