TL100 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TL100  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO237

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TL100 datasheet

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TL100

STL100N1VH5 N-channel 12 V, 0.0022 , 25 A PowerFLAT (5x6) STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID max. STL100N1VH5 12 V

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TL100

STL100N10F7 N-channel 100 V, 0.0062 typ., 19 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDSS max ID PTOT 1 STL100N10F7 100 V 0.0073 19 A 5 W 2 3 4 Ultra low on-resistance PowerFLAT 5x6 100% avalanche tested Applications Switching applications Description Figure 1. Int

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TL100

STL100N6LF6 N-channel 60 V, 3.3 m typ., 25 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL100N6LF6 60 V 4.4 m 25 A Low gate charge 1 2 Very low on-resistance 3 4 High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Applications Switching applications Description Figure 1.

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TL100

STL100NH3LL N-channel 30 V - 0.0032 - 25 A - PowerFLAT (6x5) STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL100NH3LL 30 V

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