TL100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TL100  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO237

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TL100

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TL100 даташит

 0.1. Size:770K  st
stl100n1vh5.pdfpdf_icon

TL100

STL100N1VH5 N-channel 12 V, 0.0022 , 25 A PowerFLAT (5x6) STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID max. STL100N1VH5 12 V

 0.2. Size:1396K  st
stl100n10f7.pdfpdf_icon

TL100

STL100N10F7 N-channel 100 V, 0.0062 typ., 19 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDSS max ID PTOT 1 STL100N10F7 100 V 0.0073 19 A 5 W 2 3 4 Ultra low on-resistance PowerFLAT 5x6 100% avalanche tested Applications Switching applications Description Figure 1. Int

 0.3. Size:2352K  st
stl100n6lf6.pdfpdf_icon

TL100

STL100N6LF6 N-channel 60 V, 3.3 m typ., 25 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL100N6LF6 60 V 4.4 m 25 A Low gate charge 1 2 Very low on-resistance 3 4 High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Applications Switching applications Description Figure 1.

 0.4. Size:377K  st
stl100nh3ll.pdfpdf_icon

TL100

STL100NH3LL N-channel 30 V - 0.0032 - 25 A - PowerFLAT (6x5) STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STL100NH3LL 30 V

Другие транзисторы: TK48C, TK49C, TK70, TK70A, TK71, TK71A, TK72, TK72A, TIP42, TMPT2222, TMPT3904, TMPTA05, TMPTA06, TMPTA14, TMPTA42, TMPTA43, TN1613