TN2102 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TN2102  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 65 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO237

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TN2102 datasheet

 9.1. Size:178K  ixys
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TN2102

Advance Technical Information TrenchPTM VDSS = -100V IXTN210P10T Power MOSFET ID25 = - 210A RDS(on) 7.5m trr 200ns P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier miniBLOC E153432 S G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C -100 V D VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

 9.2. Size:716K  supertex
 tn2106.pdf pdf_icon

TN2102

Supertex inc. TN2106 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This low threshold, enhancement-mode (normally-off) Low power drive requirement transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s Ease of paralleling well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low CISS and fast switching spe

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