TN2102 Todos los transistores

 

TN2102 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TN2102
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 65 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO237
 

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TN2102 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:178K  ixys
 ixtn210p10t.pdf pdf_icon

TN2102

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = -100VIXTN210P10TPower MOSFET ID25 = - 210A RDS(on) 7.5m trr 200nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierminiBLOCE153432SGSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C -100 VDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 9.2. Size:716K  supertex
 tn2106.pdf pdf_icon

TN2102

Supertex inc. TN2106N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This low threshold, enhancement-mode (normally-off) Low power drive requirement transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs Ease of paralleling well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low CISS and fast switching spe

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History: BDS14SM | 2SC1385H | AC241 | DTC113ZSA

 

 
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