TN2102 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TN2102  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO237

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TN2102

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN2102 даташит

 9.1. Size:178K  ixys
 ixtn210p10t.pdf pdf_icon

TN2102

Advance Technical Information TrenchPTM VDSS = -100V IXTN210P10T Power MOSFET ID25 = - 210A RDS(on) 7.5m trr 200ns P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier miniBLOC E153432 S G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C -100 V D VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

 9.2. Size:716K  supertex
 tn2106.pdf pdf_icon

TN2102

Supertex inc. TN2106 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This low threshold, enhancement-mode (normally-off) Low power drive requirement transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s Ease of paralleling well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low CISS and fast switching spe

Другие транзисторы: TMPTA42, TMPTA43, TN1613, TN1613A, TN1613R, TN1711, TN1893, TN1893R, D965, TN2107, TN2218, TN2218A, TN2219, TN2219A, TN2221, TN2221A, TN2221AR