TN930 Todos los transistores

 

TN930 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TN930
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92

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TN930 Datasheet (PDF)

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stn93003.pdf

TN930
TN930

STN93003High voltage fast-switchingPNP power transistorFeatures High voltage capability Very high switching speed 43Application21 Electronics ballasts for fluorescent lightingSOT-223 DescriptionThe device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high Iswitching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emit

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History: R3283 | BUW96 | 2S302 | CD9014D | 2SC1623RLT1 | MUN2232LT1

 

 
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