TN930 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TN930  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TN930

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN930 даташит

 0.1. Size:270K  st
 stn93003.pdf pdf_icon

TN930

STN93003 High voltage fast-switching PNP power transistor Features High voltage capability Very high switching speed 4 3 Application 2 1 Electronics ballasts for fluorescent lighting SOT-223 Description The device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high I switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emit

Другие транзисторы: TN834, TN835, TN901, TN911, TN918, TN918R, TN929, TN929A, 431, TN930A, TN930R, TP1613, TP1613A, TP1613R, TP1711, TP1893, TP1893R