TN930 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

TN930 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TN930
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для TN930

 

TN930 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:270K  st
 stn93003.pdf pdf_icon

TN930

STN93003 High voltage fast-switching PNP power transistor Features High voltage capability Very high switching speed 4 3 Application 2 1 Electronics ballasts for fluorescent lighting SOT-223 Description The device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high I switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emit

Другие транзисторы... TN834 , TN835 , TN901 , TN911 , TN918 , TN918R , TN929 , TN929A , 431 , TN930A , TN930R , TP1613 , TP1613A , TP1613R , TP1711 , TP1893 , TP1893R .

 

 
Back to Top

 


 
.