UMA2N Todos los transistores

 

UMA2N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMA2N
   Código: A2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 68
   Paquete / Cubierta: SC88A SOT353

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar UMA2N

 

UMA2N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  rohm
 uma2n fma2a a2 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMA2N

Transistors Emitter common (dual digital transistors) UMA2N / FMA2A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTA144E transistors in a single UMT and a SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Dual PNP digital transistor (each with two built in resistors) The following characteristics apply to both DTr1 and DTr2. FAbsolute maximum ratings (Ta =

 ..2. Size:68K  rohm
 ema2 uma2n fma2a uma2n.pdf pdf_icon

UMA2N

EMA2 / UMA2N / FMA2A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMA2 / UMA2N / FMA2A Features External dimensions (Unit mm) 1) Two DTA144E transistors in a EMT or UMT or SMT package. EMA2 2) Mounting cost and area can be cut in half. (4) (3) (2) (5) (1) 1.2 1.6 Structure Dual PNP silicon transistor (each with two built in resistors) Each lead has same

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