UMA2N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMA2N  📄📄 

Маркировка: A2

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC88A SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMA2N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMA2N даташит

 ..1. Size:62K  rohm
 uma2n fma2a a2 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMA2N

Transistors Emitter common (dual digital transistors) UMA2N / FMA2A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTA144E transistors in a single UMT and a SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Dual PNP digital transistor (each with two built in resistors) The following characteristics apply to both DTr1 and DTr2. FAbsolute maximum ratings (Ta =

 ..2. Size:68K  rohm
 ema2 uma2n fma2a uma2n.pdf pdf_icon

UMA2N

EMA2 / UMA2N / FMA2A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMA2 / UMA2N / FMA2A Features External dimensions (Unit mm) 1) Two DTA144E transistors in a EMT or UMT or SMT package. EMA2 2) Mounting cost and area can be cut in half. (4) (3) (2) (5) (1) 1.2 1.6 Structure Dual PNP silicon transistor (each with two built in resistors) Each lead has same

Другие транзисторы: U2TD430, U2TG406, U2TG408, U2TG410, UC1100A, UMA10N, UMA11N, UMA1N, 2N3906, UMA3N, UMA4N, UMA5N, UMA6N, UMA7N, UMA8N, UMA9N, UMB10N