UMB4N Todos los transistores

 

UMB4N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMB4N
   Código: B4
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SC-88
 

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UMB4N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  rohm
 umb4n imb4a b4 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMB4N

UMA4N / UMB4N / UMB8N / FMA4A / IMB4A / IMB8TransistorsTransistorsUMG4N / UMG7N / UMH4N / UMH8N / FMG4A / FMG7A / IMH4A / IMH8(96-448-A114T)

 0.1. Size:1163K  rohm
 umb4nfha.pdf pdf_icon

UMB4N

EMB4FHA / UMB4NFHAEMB4 / UMB4NDatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCEO-50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.)-100mA (2) (2) (3) (3) R110kWEMB4 UMB4NEMB4FHA UMB4NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circuit1) Bui

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History: 2G102 | 2N2194S

 

 
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