Биполярный транзистор UMB4N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UMB4N
Маркировка: B4
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SC-88
UMB4N Datasheet (PDF)
..1. Size:48K rohm
umb4n imb4a b4 sot363 sot23-6.pdf
umb4n imb4a b4 sot363 sot23-6.pdf
UMA4N / UMB4N / UMB8N / FMA4A / IMB4A / IMB8TransistorsTransistorsUMG4N / UMG7N / UMH4N / UMH8N / FMG4A / FMG7A / IMH4A / IMH8(96-448-A114T)
0.1. Size:1163K rohm
umb4nfha.pdf
umb4nfha.pdf
EMB4FHA / UMB4NFHAEMB4 / UMB4NDatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCEO-50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.)-100mA (2) (2) (3) (3) R110kWEMB4 UMB4NEMB4FHA UMB4NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circuit1) Bui
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS