UMB4N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMB4N  📄📄 

Маркировка: B4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-88

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMB4N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMB4N даташит

 ..1. Size:48K  rohm
 umb4n imb4a b4 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

UMB4N

UMA4N / UMB4N / UMB8N / FMA4A / IMB4A / IMB8 Transistors Transistors UMG4N / UMG7N / UMH4N / UMH8N / FMG4A / FMG7A / IMH4A / IMH8 (96-448-A114T)

 0.1. Size:1163K  rohm
 umb4nfha.pdf pdf_icon

UMB4N

EMB4FHA / UMB4NFHA EMB4 / UMB4N Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCEO -50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) -100mA (2) (2) (3) (3) R1 10kW EMB4 UMB4N EMB4FHA UMB4NFHA (SC-107C) SOT-353 (SC-88) lFeatures lInner circuit 1) Bui

Другие транзисторы: UMA8N, UMA9N, UMB10N, UMB11N, UMB16N, UMB1N, UMB2N, UMB3N, 2SC1815, UMB5N, UMB6N, MMUN2235LT1G, UMB8N, UMB9N, UMC1N, UMC2N, UMC3N