UMD10N Todos los transistores

 

UMD10N Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMD10N
   Código: D10
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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UMD10N PDF detailed specifications

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UMD10N

M CC TM Micro Commercial Components UMD10N Micro Commercial Components 20736 Marilla Street Chatsworth CA 91311 Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Both the DTC123J chip and DTA123J chip in a package Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Digital Transistors Halog... See More ⇒

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMD10; PUMD10 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 47 k Product data sheet 2004 Apr 15 Supersedes data of 2003 Nov 04 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD10; PUMD10 R1 = 2.2 k , R2 = 47 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. M... See More ⇒

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage MBD128 PUMD10 NPN/PNP resistor-equipped transistors 1999 May 20 Product specification Supersedes data of 1998 Dec 04 Philips Semiconductors Product specification NPN/PNP resistor-equipped transistors PUMD10 FEATURES Transistors with different polarity and built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respective... See More ⇒

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History: NSBC143EF3 | NA21E | NA02EY | NA12FG | NA12EG | NA01HI | MZT3055

 

 
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