UMD10N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMD10N  📄📄 

Маркировка: D10

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMD10N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMD10N даташит

 ..1. Size:183K  mcc
 umd10n.pdf pdf_icon

UMD10N

M CC TM Micro Commercial Components UMD10N Micro Commercial Components 20736 Marilla Street Chatsworth CA 91311 Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Both the DTC123J chip and DTA123J chip in a package Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Digital Transistors Halog

 9.1. Size:142K  philips
 pemd10 pumd10.pdf pdf_icon

UMD10N

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMD10; PUMD10 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 47 k Product data sheet 2004 Apr 15 Supersedes data of 2003 Nov 04 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD10; PUMD10 R1 = 2.2 k , R2 = 47 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. M

 9.2. Size:69K  philips
 pumd10 2.pdf pdf_icon

UMD10N

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage MBD128 PUMD10 NPN/PNP resistor-equipped transistors 1999 May 20 Product specification Supersedes data of 1998 Dec 04 Philips Semiconductors Product specification NPN/PNP resistor-equipped transistors PUMD10 FEATURES Transistors with different polarity and built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respective

Другие транзисторы: UMB9N, UMC1N, UMC2N, UMC3N, UMC4N, UMC5N, PDTA115EEF, PDTA115EK, 2SD2499, PDTA115ES, PDTA115TK, PDTA115TS, UMD2N, UMD3N, UMD6N, PDTA123EEF, UMD9N