Справочник транзисторов. UMD10N

 

Биполярный транзистор UMD10N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UMD10N
   Маркировка: D10
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT363
 

 Аналог (замена) для UMD10N

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMD10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  mcc
 umd10n.pdf pdf_icon

UMD10N

M CCTMMicro Commercial ComponentsUMD10NMicro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Both the DTC123J chip and DTA123J chip in a package Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Digital Transistors Halog

 9.1. Size:142K  philips
 pemd10 pumd10.pdf pdf_icon

UMD10N

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMD10; PUMD10NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2004 Apr 15Supersedes data of 2003 Nov 04 NXP Semiconductors Product data sheetNPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD10; PUMD10R1 = 2.2 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. M

 9.2. Size:69K  philips
 pumd10 2.pdf pdf_icon

UMD10N

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageMBD128PUMD10NPN/PNP resistor-equippedtransistors1999 May 20Product specificationSupersedes data of 1998 Dec 04Philips Semiconductors Product specificationNPN/PNP resistor-equipped transistors PUMD10FEATURES Transistors with different polarity and built-in biasresistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 krespective

Другие транзисторы... UMB9N , UMC1N , UMC2N , UMC3N , UMC4N , UMC5N , PDTA115EEF , PDTA115EK , TIP42 , PDTA115ES , PDTA115TK , PDTA115TS , UMD2N , UMD3N , UMD6N , PDTA123EEF , UMD9N .

History: KSC3502E | HSE1300 | BC207B

 

 
Back to Top

 


 
.