UMG8N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMG8N 📄📄

Código: G8

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 68

Encapsulados: SC88A SOT353

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UMG8N datasheet

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Transistors Emitter common (dual digital transistors) UMG8N / FMG8A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTC143T chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor (Built-in resistor type) The following characteristics apply to both DTr1 and DTr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)

..2. Size:62K rohm
umg8n fmg8a g2 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

..3. Size:67K rohm
emg8 umg8n fmg8a.pdf pdf_icon

EMG8 / UMG8N / FMG8A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMG8 / UMG8N / FMG8A Features External dimensions (Units mm) 1) Two DTC143Z chips in a EMT or UMT or SMT EMG8 package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. (4) (3) (2) (5) (1) 1.2 1.6 Structure Each lead has same dimensions Epitaxial planar type ROHM EMT5 NPN silicon transistor Abbrevia

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