Справочник транзисторов. UMG8N

 

Биполярный транзистор UMG8N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UMG8N
   Маркировка: G8
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC88A SOT353
 

 Аналог (замена) для UMG8N

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMG8N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  rohm
 umg8n.pdf pdf_icon

UMG8N

TransistorsEmitter common (dual digital transistors)UMG8N / FMG8AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTC143T chips in a UMT orSMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistor(Built-in resistor type)The following characteristics apply toboth DTr1 and DTr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)

 ..2. Size:62K  rohm
 umg8n fmg8a g2 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMG8N

TransistorsEmitter common (dual digital transistors)UMG8N / FMG8AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTC143T chips in a UMT orSMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistor(Built-in resistor type)The following characteristics apply toboth DTr1 and DTr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)

 ..3. Size:67K  rohm
 emg8 umg8n fmg8a.pdf pdf_icon

UMG8N

EMG8 / UMG8N / FMG8ATransistorsEmitter common(dual digital transistors)EMG8 / UMG8N / FMG8A Features External dimensions (Units : mm)1) Two DTC143Z chips in a EMT or UMT or SMTEMG8package.2) Mounting cost and area can be cut in half.(4) (3)(2)(5) (1)1.21.6 StructureEach lead has same dimensionsEpitaxial planar typeROHM : EMT5NPN silicon transistorAbbrevia

Другие транзисторы... PDTA123EK , PDTA123ES , UMG1N , UMG2N , UMG3N , UMG4N , UMG5N , UMG6N , D965 , UMG9N , UMH10N , UMH11N , UMH1N , UMH2N , UMH3N , UMH4N , UMH5N .

History: 2SC1431 | INC6005AC1 | BC640-10 | 2SD668D | BF243

 

 
Back to Top

 


 
.