UMG8N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMG8N  📄📄 

Маркировка: G8

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC88A SOT353

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMG8N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMG8N даташит

 ..1. Size:61K  rohm
 umg8n.pdf pdf_icon

UMG8N

Transistors Emitter common (dual digital transistors) UMG8N / FMG8A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTC143T chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor (Built-in resistor type) The following characteristics apply to both DTr1 and DTr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)

 ..2. Size:62K  rohm
 umg8n fmg8a g2 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

UMG8N

Transistors Emitter common (dual digital transistors) UMG8N / FMG8A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTC143T chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor (Built-in resistor type) The following characteristics apply to both DTr1 and DTr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)

 ..3. Size:67K  rohm
 emg8 umg8n fmg8a.pdf pdf_icon

UMG8N

EMG8 / UMG8N / FMG8A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMG8 / UMG8N / FMG8A Features External dimensions (Units mm) 1) Two DTC143Z chips in a EMT or UMT or SMT EMG8 package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. (4) (3) (2) (5) (1) 1.2 1.6 Structure Each lead has same dimensions Epitaxial planar type ROHM EMT5 NPN silicon transistor Abbrevia

Другие транзисторы: PDTA123EK, PDTA123ES, UMG1N, UMG2N, UMG3N, UMG4N, UMG5N, UMG6N, NJW0281G, UMG9N, UMH10N, UMH11N, UMH1N, UMH2N, UMH3N, UMH4N, UMH5N