UMG9N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMG9N 📄📄

Código: G9

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SC88A SOT353

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UMG9N datasheet

..1. Size:68K rohm
umg9n fmg9a g9 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

Transistors Emitter common (dual digital transistors) UMG9N / FMG9A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTC114E in a UMT or SMT package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor (Built-in resistor type) The following characteristics apply to both DTr1 and DTr2. FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) (96-4

..2. Size:67K rohm
emg9 umg9n fmg9a umg9n.pdf pdf_icon

EMG9 / UMG9N / FMG9A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMG9 / UMG9N / FMG9A Features External dimensions (Unit mm) 1) Two DTC114E in a EMT or UMT or SMT package. EMG9 2) Mounting cost and area can be cut in half. (4) (3) (2) (5) (1) 1.2 1.6 Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor Each lead has same dimensions ROHM EMT5 (Built

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